История оперативной памяти, или ОЗУ, началась в далёком 1834 году, когда Чарльз Беббидж разработал «аналитическую машину» — по сути, прообраз компьютера. Часть этой машины, которая отвечала за хранение промежуточных данных, он назвал «складом». Запоминание информации там было организовано ещё чисто механическим способом, посредством валов и шестерней.
В первых поколениях ЭВМ в качестве ОЗУ использовались электронно-лучевые трубки, магнитные барабаны, позже появились магнитные сердечники, и уже после них, в третьем поколении ЭВМ появилась память на микросхемах.
Сейчас ОЗУ выполняется по технологии DRAM в форм-факторах DIMM и SO-DIMM, это динамическая память, организованная в виде интегральных схем полупроводников. Она энергозависима, то есть данные исчезают при отсутствии питания.
Выбор оперативной памяти не является сложной задачей на сегодняшний день, главное здесь разобраться в типах памяти, её назначении и основных характеристиках.
Типы памяти
SO-DIMM 
Память форм-фактора SO-DIMM предназначена для использования в ноутбуках, компактных ITX-системах, моноблоках — словом там, где важен минимальный физический размер модулей памяти.
Отличается от форм-фактора DIMM уменьшенной примерно в 2 раза длиной модуля, и меньшим количеством контактов на плате (204 и 360 контактов у SO-DIMM DDR3 и DDR4 против 240 и 288 на платах тех же типов DIMM-памяти).
По остальным характеристикам — частоте, таймингам, объёму, модули SO-DIMM могут быть любыми, и ничем принципиальным от DIMM не отличаются.
DIMM
DIMM — оперативная память для полноразмерных компьютеров.
Тип памяти, который вы выберете, в первую очередь должен быть совместим с разъёмом на материнской плате. ОЗУ для компьютера делится на 4 типа – DDR, DDR2, DDR3 и DDR4.
Память типа DDR появилась в 2001 году, и имела 184 контакта. Напряжение питания составляло от 2.2 до 2.4 В. Частота работы – 400МГц. До сих пор встречается в продаже, правда, выбор невелик. На сегодняшний день формат устарел, — подойдёт, только если вы не хотите обновлять систему полностью, а в старой материнской плате разъёмы только под DDR.
Стандарт DDR2 вышел уже в 2003-ем, получил 240 контактов, которые увеличили число потоков, прилично ускорив шину передачи данных процессору. Частота работы DDR2 могла составлять до 800 МГц (в отдельных случаях – до 1066 МГц), а напряжение питания от 1.8 до 2.1 В – чуть меньше, чем у DDR. Следовательно, понизились энергопотребление и тепловыделение памяти.
Отличия DDR2 от DDR:
· 240 контактов против 120 · Новый слот, несовместимый с DDR · Меньшее энергопотребление · Улучшенная конструкция, лучшее охлаждение · Выше максимальная рабочая частота Также, как и DDR, устаревший тип памяти — сейчас подойдёт разве что под старые материнские платы, в остальных случаях покупать нет смысла, так как новые DDR3 и DDR4 быстрее.
В 2007 году ОЗУ обновились типом DDR3, который до сих пор массово распространён. Остались всё те же 240 контактов, но слот подключения для DDR3 стал другим – совместимости с DDR2 нет. Частота работы модулей в среднем от 1333 до 1866 МГц. Встречаются также модули с частотой вплоть до 2800 МГц.
- DDR3 отличается от DDR2:
- · Слоты DDR2 и DDR3 несовместимы.
- · Тактовая частота работы DDR3 выше в 2 раза – 1600 МГц против 800 МГц у DDR2.
· Отличается сниженным напряжением питания – порядка 1.5В, и меньшим энергопотреблением (в версии DDR3L это значение в среднем ещё ниже, около 1.35 В). · Задержки (тайминги) DDR3 больше, чем у DDR2, но рабочая частота выше. В целом скорость работы DDR3 на 20-30% выше.
DDR3 — на сегодня хороший выбор. Во многих материнских платах в продаже разъёмы под память именно DDR3, и в связи с массовой популярностью этого типа, вряд ли он скоро исчезнет. Также он немного дешевле DDR4.
DDR4 – новый тип ОЗУ, разработанный только в 2012 году. Является эволюционным развитием предыдущих типов. Пропускная способность памяти снова повысилась, теперь достигая 25,6 Гб/с.
Частота работы также поднялась – в среднем от 2133 МГц до 3600 МГц.
Если же сравнивать новый тип с DDR3, который продержался на рынке целых 8 лет и получил массовое распространение, то прирост производительности незначителен, к тому же далеко не все материнские платы и процессоры поддерживают новый тип.
Отличия DDR4:
· Несовместимость с предыдущими типами · Пониженно напряжение питания – от 1.2 до 1.05 В, энергопотребление тоже снизилось · Рабочая частота памяти до 3200 МГц (может достигать 4166 МГц в некоторых планках), при этом, конечно, выросшие пропорционально тайминги · Может незначительно превосходить по скорости работы DDR3
Если у вас уже стоят планки DDR3, то торопиться менять их на DDR4 нет никакого смысла. Когда этот формат распространится массово, и все материнские платы уже будут поддерживать DDR4, переход на новый тип произойдёт сам собой с обновлением всей системы. Таким образом, можно подытожить, что DDR4 – скорее маркетинг, чем реально новый тип ОЗУ.
Какую частоту памяти выбрать?
Выбор частоты нужно начинать с проверки максимально поддерживаемых частот вашим процессором и материнской платой. Частоту выше поддерживаемой процессором имеет смысл брать только при разгоне процессора.
На сегодняшний день не стоит выбирать память с частотой ниже 1600 МГц. Вариант 1333 МГц допустим в случае DDR3, если это не завалявшиеся у продавца древние модули, которые явно будут медленнее новых.
Оптимальный вариант на сегодня — это память с интервалом частот от 1600 до 2400 МГц. Частота выше почти не имеет преимущества, но стоит гораздо дороже, и как правило является разогнанными модулями с поднятыми таймингами.
Для примера, разница между модулями в 1600 и 2133 Мгц в ряде рабочих программ будет не более 5-8 %, в играх разница может быть ещё меньше.
Частоты в 2133-2400 Мгц стоит брать, если вы занимаетесь кодированием видео/аудио, рендерингом.
Разница же между частотами в 2400 и 3600 Мгц обойдётся вам довольно дорого, при этом не прибавив ощутимо скорости.
Какой объём оперативной памяти брать?
Объём, который вам понадобится, зависит от типа работы, производимой на компьютере, от установленной операционной системы, от используемых программ. Также не стоит упускать из виду максимально поддерживаемый объём памяти вашей материнской платой.
Объём 2 ГБ — на сегодняшний день, может хватить разве что только для просмотра интернета. Больше половину будет съедать операционная система, оставшегося хватит на неторопливую работу нетребовательных программ.
Объём 4 ГБ – подойдёт для компьютера средней руки, для домашнего пк-медиацентра. Хватит, чтобы смотреть фильмы, и даже поиграть в нетребовательные игры. Современные – увы, с потянет с трудом. (Станет лучшим выбором, если у вас 32-разрядная операционная система Windows, которая видит не больше 3 ГБ оперативной памяти)
Объём 8 ГБ (или комплект 2х4ГБ) – рекомендуемый объём на сегодня для полноценного ПК. Этого хватит для почти любых игр, для работы с любым требовательным к ресурсам софтом. Лучший выбор для универсального компьютера.
Объём 16 ГБ (или наборы 2х8ГБ, 4х4ГБ)- будет оправданным, если вы работаете с графикой, тяжёлыми средами программирования, или постоянно рендерите видео.
Также отлично подойдёт для ведения онлайн-стримов – здесь с 8 ГБ могут быть подвисания, особенно при высоком качестве видео-трансляции.
Некоторые игры в высоких разрешениях и с HD-текстурами могут лучше себя вести с 16 ГБ оперативной памяти на борту.
Объём 32 ГБ (набор 2х16ГБ, или 4х8ГБ)– пока очень спорный выбор, пригодится для каких-то совсем экстремальных рабочих задач. Лучше будет потратить деньги на другие комплектующие компьютера, это сильнее отразится на его быстродействии.
Режимы работы: лучше 1 планка памяти или 2?
ОЗУ может работать в одно-канальном, двух-, трёх- и четырёх-канальном режимах. Однозначно, если на вашей материнской плате есть достаточное количество слотов, то лучше взять вместо одной планки памяти несколько одинаковых меньшего объёма. Скорость доступа к ним вырастет от 2 до 4 раз.
Чтобы память работала в двухканальном режиме, нужно устанавливать планки в слоты одного цвета на материнской плате. Как правило, цвет повторяется через разъём. Важно при этом, чтобы частота памяти в двух планках была одинаковой.
— Single chanell Mode – одноканальный режим работы. Включается, когда установлена одна планка памяти, или разные модули, работающие на разной частоте. В итоге память работает на частоте самой медленной планки.
— Dual Mode – двухканальный режим. Работает только с модулями памяти одинаковой частоты, увеличивает скорость работы в 2 раза. Производители выпускают специально для этого комплекты модулей памяти, в которых может быть 2 или 4 одинаковых планки.
— Triple Mode – работает по тому же принципу, что и двух-канальный. На практике не всегда быстрее.
— Quad Mode — четырёх-канальный режим, который работает по принципу двухканального, соответственно увеличивая скорость работы в 4 раза. Используется, там где нужна исключительно высокая скорость — например, в серверах.
— Flex Mode – более гибкий вариант двухканального режима работы, когда планки разного объёма, а одинаковая только частота. При этом в двухканальном режиме будут использоваться одинаковые объёмы модулей, а оставшийся объём будет функционировать в одноканальном.
Нужен ли памяти радиатор?
Сейчас уже давно не те времена, когда при напряжении в 2 В достигалась частота работы в 1600 МГц, и в результате выделялось много тепла, которое надо было как-то отводить. Тогда радиатор мог быть критерием выживаемости разогнанного модуля.
В настоящее время же энергопотребление памяти сильно снизилось, и радиатор на модуле может быть оправдан с технической точки зрения, только если вы увлекаетесь оверклокингом, и модуль будет работать у вас на запредельных для него частотах. Во всех остальных случаях радиаторы можно оправдать, разве что, красивым дизайном.
В случае, если радиатор массивный, и заметно увеличивает высоту планки памяти – это уже существенный минус, поскольку он может помешать вам поставить в систему процессорный суперкулер. Существуют, кстати, специальные низкопрофильные модули памяти, предназначенные для установки в компактные корпуса. Они несколько дороже модулей обычного размера.
Что такое тайминги?
Тайминги, или латентность (latency) – одна из самых важных характеристик оперативной памяти, определяющих её быстродействие. Обрисуем общий смысл этого параметра.
Упрощённо оперативную память можно представить, как двумерную таблицу, в которой каждая ячейка несёт информацию.
Доступ к ячейкам происходит по указанию номера столбца и строки, и указание это происходит при помощи стробирующего импульса доступа к строке RAS (Row Access Strobe) и стробирующего импульса доступа к столбцу CAS (Acess Strobe) путём изменения напряжения.
Таким образом, за каждый такт работы происходят обращения RAS и CAS, и между этими обращениями и командами записи/чтения существуют определённые задержки, которые и называются таймингами.
- В описании модуля оперативной памяти можно увидеть пять таймингов, которые для удобства записываются последовательностью цифр через дефис, например 8-9-9-20-27.
- · tRCD (time of RAS to CAS Delay) — тайминг, который определяет задержку от импульса RAS до CAS
- · CL (timе of CAS Latency) — тайминг, определяющий задержку между командой о записи/чтении и импульсом CAS
- · tRP (timе of Row Precharge) — тайминг, определяющий задержку при переходах от одной строки к следующей
- · tRAS (time of Active to Precharge Delay) — тайминг, который определяет задержку между активацией строки и окончанием работы с ней; считается основным значением
- · Command rate – определяет задержку между командой выбора отдельного чипа на модуле до команды активации строки; этот тайминг указывают не всегда.
Источник: https://club.dns-shop.ru/post/15139
Сравнение DDR3-1600 и DDR4-2133 в играх со встроенным и дискретным видеоускорителем
Код вставки
15-11-2016
Рады приветствовать вас на сайте GECID.com! Во время перехода с оперативной памяти DDR3 на DDR4 многие пользователи задаются вопросом, какая память лучше и быстерее на штатных частотах. Поэтому мы решили провести живое сравнение производительности DDR3-1600 и DDR4-2133 при работе с дискретной видеокартой и встроенным видеокускорителем.
Коротко обозначим тестовый стенд, основой которого выступает универсальная и сравнительно доступная материнская плата BIOSTAR Hi-Fi H170Z3, которая поддерживает работу с модулями DDR3L и DDR4. Она была любезно предоставлена интернет-магазином pcshop ua, в котором имеется огромный выбор компьютерных комплектующих.
В роли процессора выступает топовый на данный момент 4-ядерник Intel Core i7-6700K.
Первый этап тестирования проходил со встроенным графическим ядром HD Graphics 530, а для второго использовалась дискретная видеокарта ASUS Dual GeForce GTX 1060 OC c 3 ГБ GDDR5 на борту, которая уже хорошо знакома нашим зрителям по предыдущим видео.
ОЗУ представлена наиболее массовыми и популярными 16-гигабайтными наборами DDR4-2133 МГц и DDR3-1600 МГц. Никаких дополнительных модификаций в параметры памяти мы не вносили, как не будут этого делать и многие покупатели.
Первую фазу тестирования, посвященную влиянию на производительность встроенного графического ядра, открывает хорошо оптимизированная Dying Light.
Выбрав низкий профиль графических настроек, можно с минимально-комфортными 30-40 кадрами в секунду отрабатывать навыки паркура и самообороны, не ощущая недостатка в манекенах.
Отсутствие встроенного бенчмарка не позволило синхронизировать геймплей на разных платформах, но в целом на несколько FPS впереди оказалась система с DDR4-памятью.
Для запуска GTA V пришлось снизить настройки графики до минимума, а разрешение – до 1280 х 720.
Конечно, ни о каких особых сглаживаниях речи не идет, поэтому детализацией Лос-Сантос похвастать не может, зато бенчмарк бодро воспроизводится при 30 – 50 кадрах/с.
Перевес системы с DDR4-памятью может достигать 10 FPS, но и задействованный объем памяти в этом случае будет выше на несколько сотен МБ. А вот загрузка процессорных и графических ядер приблизительно одинакова.
Любители раллийного симулятора DiRT Rally также могут выдохнуть спокойно: игра стартует даже на встроенной графике, но с низкими настройками и HD-разрешением. Этого достаточно, чтобы получить комфортный минимум в 30 с хвостиком FPS.
Отдать перевес одной из систем сложно: минимальное преимущество переходит от одной конфигурации к другой.
Особой разницы в использовании других ресурсов также не наблюдается, а уровень производительности упирается исключительно в возможности графического ядра.
Искать приключений на свою голову в Mad Max можно и при низких настройках графики.
Да, вид постапокалиптической пустыни не будет столь устрашающим, зато видеоряд будет более плавным при 30-40 кадрах/с, а управление – отзывчивым.
Процессорные ядра по полной загружают графическую часть, хотя сами особо не напрягаются. Перевес в максимум 4 FPS на стороне DDR4-памяти, но существенного значения это не имеет.
Продемонстрировать мастерство владения игровым оружием и быстроту реакции в Rainbow Six Siege можно лишь на низких настройках графики.
Встроенный бенчмарк обеспечивает удобное визуальное сравнение производительности обеих систем. Перевес ожидаемо оказался за DDR4-памятью, но разница не превышает нескольких кадров.
А поскольку в обоих случаях получаем от 30 FPS, то влияние более высокой частоты DDR4 на игровой процесс оказывается минимальным.
Разработчики Rise of Tomb Rider сделали выбор в пользу красоты и реализма виртуального мира, позволив игрокам прочувствовать и сибирские морозы, и тропическую жару.
Поэтому на встроенной графике соваться в эту игру могут только полные флегматики или обладатели неисчерпаемого запаса нервных клеток: 15-20 FPS при очень низком пресете качества за несколько минут выведут из себя даже самых стойких.
А перевес в 1 FPS при использовании DDR4-памяти звучит издевательски.
Deus Ex: Mankind Divided изобилует различными технологиями для улучшения качества изображения и повышения реализма окружаемого мира.
Поэтому встроенная графика просто не справляется с такой нагрузкой даже на низких настройках качества. В итоге нас ждет слайд-шоу со скоростью до 20 кадров/с.
В общем система с DDR4 показывает на 1-2 FPS больше, но на качестве геймплея это особо не отражается.
Для второго этапа мы использовали дискретную видеокарту GTX 1060 с 3 ГБ памяти.
Выбор не случайный и соответствует рабочей гипотезе: поскольку для требовательных игр такого объема видеобуфера недостаточно для максимальных настроек качества, то система активнее обращается к ОЗУ.
Вот здесь и могут себя проявить или не проявить повышенная частота DDR4 или меньшие тайминги DDR3. Если же изначально брать видеокарту с большим буфером, то влияние разных стандартов памяти будет меньше, поэтому и зафиксировать его сложнее.
Да, обратите внимание, теперь в верхней части экрана отображается система с DDR4-памятью, а в нижней – с DDR3. Побежали!
Первым подопытным проектом стал Dying Light. На высоких настройках он съедает весь доступный объем GDDR5, явно запуская свои алгоритмы и в ОЗУ, но взамен выдавая комфортные 40-60 FPS. Однако сложность синхронизации геймплея не позволили определить победителя, поэтому опять в этой игре присуждается вынужденная ничья.
Реабилитироваться поможет GTA V благодаря встроенному бенчмарку. Он позволяет проверить вторую часть рабочей гипотезы: видеобуфер используется не на полную, поэтому разница в производительности минимальная. В основном в пользу DDR4, но иногда на миг DDR3 оказывается в лидерах. Однако и близко нет тех 10 кадров гандикапа, какие были при использовании встроенной графике.
Даже запредельный пресет качества графики в третьем Ведьмаке не поглощает всю видеопамять, хотя в городе имеется множество объектов для обработки. Тем не менее более 50 кадров/с вам обеспечено. А вот разница между системами опять минимальная и держится на уровне погрешности, что хорошо видно в заскриптованных сценах.
Отвоевывать Землю в XCOM 2 при такой конфигурации можно и на максимальных настройках со сглаживанием FXAA и прочими радостями качественной картинки. Но и этот проект оказался недостаточно требовательным к видеобуферу, оставив нам комфортный фреймрейт и минимальную разницу между уровнями производительности.
Не порадовал интригой и бенчмарк Rainbow Six Siege. Ультра настройки качества требуют чуть более 2 ГБ видеопамяти. Визуально определить победителя очень сложно, поэтому на помощь пришли результаты теста. В среднем видим около 1 кадра в секунду больше при использовании DDR4.
Пресет с максимальными настройками графики в The Division обеспечивает живую и довольно реалистичную картинку, которая отображается со скоростью более 50 кадров/с.
Система с DDR3-памятью ни на шаг не отстает от более быстрого по частоте стандарта DDR4, поскольку видеобуфера графического адаптера и в данном случае оказалось более чем достаточно.
Ощутимой разницы нет даже в загрузке процессора или общем объеме потребляемой ОЗУ.
Требовательная к ресурсам Assassins Creed Syndicate явно использовала для своих нужд оперативную память, поскольку ее потребление превысило 7 ГБ, хотя во время тестирования 6-гигабайтной GTX 1060 ее потребовалось гораздо меньше. Но существенного влияния на общую скорость не было. В моменты синхронизации можно наблюдать перевес DDR4 на несколько кадров, но визуально прочувствовать разницу сложно.
Большие надежды мы возлагали на бенчмарк Rise of the Tomb Raider, который при очень высоких настройках выступает лакмусовой бумажкой для определения действительно мощной конфигурации.
За проход по трем сценам потребовалось до 10 ГБ оперативной памяти, поэтому она точно выступала подспорьем видеобуферу. Но разница оказалась не в пользу DDR4: на вершине горы, в геотермальной долине и по общему показателю с минимальным отрывом победу одержает DDR3.
Похоже, для этой игры важнее скорость доступа, а не пропускная способность памяти.
При высоком уровне детализации в HITMAN визуально определить победителя довольно сложно, поскольку преимущество очень быстро переходит от одной системы к другой. Поэтому номинально получаем еще одну ничью, но с оговоркой, что обе системы обеспечивают более чем комфортный уровень FPS.
Комфортно погрузиться в мир DOOM 3-гигабайтная GTX 1060 также позволяет с ультравысоким профилем качества визуальной составляющей.
В самом начале удалось даже синхронизировать фрагменты и увидеть минимальное, на уровне нескольких кадров, преимущество системы с DDR4-памятью.
А дальше монстры внесли элемент хаоса своими атаками, поэтому определить победителя довольно сложно. Но в любом случае более 100 FPS вам гарантировано.
Имея в системе GTX 1060, ничто не помешает запустить бенчмарк Deus Ex Mankind Divided при ультравысоких настройках графики, получив при этом минимально комфортные 30-40 FPS, а не слайд-шоу при 15-20 кадрах/с. В среднем разница не превышает даже полкадра, но показатели минимальной и максимальной скорости остались за DDR3.
Необычный, очень красочный и местами крайне увлекательный мир Obduction желательно воспроизводить при наивысшем качестве графики. Выдаваемых системой 70-90 кадров/с будет более чем достаточно для комфортного прохождения. А вот определить победителя в данном проекте сложно, но в некоторых синхронизированных сценах разница в 1-3 кадра была на стороне DDR4.
Evolve Stage 2 также оказалась требовательной к графике, забрав себе весь буфер и часть оперативной памяти, превратив ее в стабильные 80-120 кадров/с. По началу небольшое преимущество было на стороне системы с DDR4-памятью, но затем геймплей быстро рассинхронизировался и определить победителя было сложно.
Завершает тестирование суровая The Long Dark, которой с лихвой хватает вычислительной мощности видеокарты и видеобуфера. Поэтому даже без покадрового сопоставления можем сказать, что особой разницы между системами нет.
Итоги
А теперь подведем итоги. В целом большая пропускная способность DDR4 обеспечивает визуально заметное преимущество при использовании встроенной графики. Разница между наиболее доступными DDR4-2133 и DDR3-1600 МГц может доходить до 10 кадров/с.
Если же мы устанавливаем дискретную карту с быстрым видеобуфером, то разница в несколько кадров наблюдается лишь при его переполнении и активном обращении к ОЗУ. Но она не всегда будет на стороне DDR4 – в отдельных случаях низкие тайминги DDR3 оказываются предпочтительнее, чем частота DDR4.
То есть перспективнее собирать новую систему с памятью DDR4, но если вы обновляете старый игровой ПК и пытаетесь сэкономить, то DDR3 является вполне достойной альтернативой при наличии дискретной видеокарты.
- Видео вариант данного обзора можно посмотреть у нас на YouTube канале.
- опубликовано 15-11-2016
- Статья прочитана 12748 раз(а)
| Подписаться на наши каналы |
Социальные комментарии Cackle
Источник: https://ru.gecid.com/ram/sravnenie_ddr3-1600_i_ddr4-2133_v_igrah/?s=all
Оперативная память DDR3: конец 2008 года
В конце 2008 года ситуация на рынке оперативной памяти кардинально поменялась. Во-первых, это выражается в серьезном падении цен на модули памяти стандарта DDR3. Во-вторых, в широком ассортименте появились модули памяти DDR3 с номинальной частотой 1600 МГц. Однако воспользоваться преимуществами такой памяти сможет лишь небольшая часть покупателей.
В частности, если начинающий пользователь купит комплект типа DDR3-1600, то вряд ли получит выигрыш от такой скоростной оперативной памяти. И вот почему.
Как правило, материнские платы устанавливают режим работы таких модулей как DDR3-1333 и, в результате, производительность подсистемы памяти в большинстве приложений будет на уровне системы с памятью DDR2-800 или DDR2-1066. Причем по цене память стандарта DDR2 заметно дешевле. Конечно, можно зайти в BIOS и принудительно установить нужную частоту.
Но пользователя с таким навыком уже трудно назвать начинающим. Если человек разбирается в настройках материнской платы, то он сможет понизить множитель процессора и повысить частоту FSB до 400 МГц (речь идет о платформе Intel).
В итоге процессор будет работать приблизительно на штатной частоте, но общая производительность системы (FSB 1600 МГц QPB, память DDR3-1600) будет заметно выше. Начинающему пользователю такая конфигурация системы недоступна, поскольку в магазинах отсутствуют широко разрекламированные процессоры Intel с штатной частотой FSB равной 400 МГц (1600 МГц QPB).
Вторая категория пользователей памяти DDR3-1600 — это оверклокеры, которые разгоняют процессоры до частот FSB более 500 МГц. Сейчас уже не проблема найти оперативную память DDR2-1000 МГц, которая необходима для такой конфигурации.
Но при серьезном разгоне (до FSB~ 550-600 МГц) требования к характеристикам памяти DDR2 возрастают настолько, что гораздо выгоднее использовать DDR3. Да, она несколько дороже, но зато не имеет ограничений в нужном частотном диапазоне.
Например, в синхронном режиме память DDR3-1333 позволяет установить шину FSB=667 МГц, а память DDR3-1600 — уже FSB, равную 800 МГц!
И, наконец, третьей категорией пользователей памяти DDR3 являются профессионалы, которые работают со специфическим программным обеспечением.
Если скорость работы такого ПО имеет прямую зависимость от пропускной способности памяти, и DDR3 с частотами 1333 МГц или 1600 МГц дает реальный выигрыш в скорости, то такие пользователи переходят на DDR3-1600 практически моментально, как только она становится доступной.
В сегодняшнем обзоре мы протестируем все комплекты памяти DDR3, которые есть в наличии в нашей лаборатории. И начнем с модулей A-Data AD31600X001GU.
A-Data AD31600X001GU
Упаковка модулей самая красивая и солидная из всех, с которыми мы встречались.
Внешний вид самих модулей под стать коробке:
Наклейка на упаковке и на модулях содержит информацию о штатной частоте, диапазоне рабочего напряжения и таймингах.
Переходим к тестированию и смотрим на информацию SPD:
Итак, SPD сообщает, что для штатного напряжения 1,5 В максимальная (стабильная) частота модуля равна DDR3-1333 МГц. И действительно, попытки запустить данные модули на частоте DDR3-1600 при Vmem=1,5 В успехом не увенчались.
Следовательно, пользователю необходимо установить рекомендуемый диапазон напряжения памяти (фактически, это санкционированный производителем разгон).
При напряжении Vmem = 1,75 В данная память A-Data заработала на частоте DDR3-1600, причем с вполне приличными таймингами:
Более того, мы смогли понизить тайминги до значений 7-7-7-20, без какого-либо ущерба для стабильности системы.
Что касается разгонного потенциала модулей A-Data AD31600X001GU, то он относительно невелик: максимальная частота равна DDR3-1800 МГц при напряжении 1,85 В.
Два модуля памяти Samsung
Рассмотрим следующую пару модулей DDR3, на этот раз — производства компании Samsung.
- Впрочем, в нашем тестировании они выступают вне зачета, поскольку являются непарными (один модуль — 1 Гб, другой — 2 Гб), тогда как остальные комплекты парные, и работали в двухканальном режиме.
- На обеих планках установлены одинаковые чипы:
Первоначальную информацию о модулях можно узнать из наклеек:
- Итак, наклейки гласят, что память соответствует стандарту PC3-8500, иными словами, штатная частота равна DDR3-1066 МГц.
- Кстати, приведем расшифровку индексов DDR3:
| Индекс | Частота (DDR3), МГц |
| PC3-8500 | 1066 |
| PC3-10664 | 1333 |
| PC3-12800 | 1600 |
| PC3-14400 | 1800 |
| PC3-16000 | 2000 |
Из информации SPD мы узнаем, что гигабайтный модуль памяти Samsung способен работать на частоте DDR3-1220 МГц с таймингами 8-9-9-23 при штатном напряжении.
Что касается разгона, то при штатном напряжении модуль памяти осилил частоту DDR3-1600 МГц. Впрочем, это стало возможным при значительном увеличении таймингов.
- Однако, если поднять напряжение Vmem до 1,7 В, то можно снизить рабочие тайминги до вполне разумных величин (8-8-8-20).
- Затем мы протестировали двухгигабайтный модуль Samsung, характеристики которого оказались полностью идентичными.
И, наконец, мы протестировали систему с двумя «разнокалиберными» модулями Samsung, и не обнаружили никакого ухудшения результатов. В частности, при повышении напряжения Vmem до 1,8 В память заработала на частоте DDR2-1800:
Кроме того, при напряжении Vmem=1,7 В оказалось возможным снизить тайминги до значений 8-8-8-20.
Qimonda PC3-8500
Теперь переходим к модулям памяти Qimonda PC3-8500, которые появились в нашем тестлабе практически сразу после появления памяти стандарта DDR3.
Объем каждого модуля равен одному гигабайту, причем чипы памяти собственного производства Qimonda:
Наклейка на модуле:
Информация SPD:
Как вы видите, заявленные частоты и тайминги полностью соответствуют параметрам модулей Samsung. Однако разгонный потенциал модулей Qimonda оказался несколько иным. В частности, при штатном напряжении (Vmem=1,5 В) максимальная стабильная частота равна DDR3-1333 МГц (с небольшим запасом).
Далее, если пользователь не боится повысить напряжение Vmem до значения 1,8 В, то он может увеличить производительность подсистемы памяти путем увеличения частоты до DDR3-1400 МГц:
или путем понижения таймингов до значений 8-8-8-20:
- В данном случае, наиболее эффективным направлением является снижение таймингов, поскольку частотный запас у модулей Qimonda невелик.
- Итак, сведем все результаты в одну таблицу и подведем итоги:
Конфигурация тестового стенда:
Выводы
Подводя итоги, отметим следующее. За год с момента появления в продаже памяти стандарта DDR3 ее технические характеристики возросли, а цена значительно упала. В частности, розничная цена гигабайтного модуля Samsung PC3-8500 находится в районе $45, а стоимость модуля Samsung PC3-10600 того же объема — в районе $55.
И, как нам кажется, все бюджетные модули Samsung производятся из одних и тех же чипов (по аналогии с чипами памяти стандарта DDR2). Поэтому, если предполагаемые рабочие частоты памяти не будут превышать DDR3-1600 МГц, то можно взять более дешевые модули со штатными частотами DDR3-1066 или DDR3-1333 МГц.
Благодаря отлаженному техпроцессу, разгонный потенциал таких модулей вполне достаточен для достижения требуемой частоты.
Если же у покупателя нет финансовых ограничений, и ему требуются модули с гарантированной рабочей частотой DDR3-1600 МГц, то он имеет широкий выбор.
Одним из вариантов является комплект гигабайтных модулей A-Data AD31600X001GU, который стоит приблизительно в два раза дороже (~$200).
При этом пользователю все равно придется совершать операции по разгону, а именно — повышать напряжение на модулях памяти.
Также нужно иметь в виду, что несмотря на гарантии производителя памяти и гарантии производителя материнской платы по работоспособности системы на частоте 1600 МГц, некоторые комбинации могут не достигать данную частоту.
В частности, в нашей тестовой лаборатории есть две-три материнские платы, на которых модули A-Data AD31600X001GU попросту не работают.
Поэтому важно запомнить, что каждая комбинация (ревизия материнской платы + версия BIOS + степпинг процессора + модули памяти) имеет свой собственный потенциал разгона, который однозначно не определяется и никем не гарантируется.
— Обсудить материал в конференции
Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Источник: https://3dnews.ru/567063
Overclockers.ru: Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт (страница 3)
Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта
Проведенное некоторое время назад тестирование бюджетных модулей памяти объемом 4 Гбайта, основанных на микросхемах Hynix, Samsung, Micron и Elpida, показало, что именно первые два производителя выпускают наиболее интересные (с точки зрения разгонного потенциала) микросхемы памяти. Поэтому в тестировании модулей объемом 8 Гбайт не обошлось без участия представителей Samsung. Что касается Hynix, то судя по информации на сайте, у этого производителя также есть микросхемы и модули такого объема, но найти их в продаже пока не удалось.
В очередной раз оригинальные модули Samsung попали на тестирование в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации.
Модуль памяти стандартного размера, выполнен на печатной плате традиционного для Samsung зеленого цвета. Шестнадцать микросхем установлены с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.
- На наклейке указана маркировка модуля (M378B1G73BH0-CH9), его объем (8 Гбайт), рейтинг (PC3-10600), дата (6 неделя 2012 года) и страна производства (Китай).
Компания Samsung использует микросхемы собственного производства. В данном случае это четырехгигабитные SEC K4B4G0846B-HCH9, выпущенные на 4-й неделе 2012 года. Они рассчитаны на частоту 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1717 Кбайт). 
Информация на случай изменения маркировки: размер микросхем 10.0×11.0 мм, дизайн точки в левом нижнем углу – четыре вертикальные линии внутри круга, но при этом сама точка заметно меньше, чем у Elpida.
Микросхема SPD:
- Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: samsung_m378b1g73bh0-ch9_spd.
- Samsung M378B1G73BH0-CH9 использует печатную плату с маркировкой CK 77-13.
Тестовый стенд и ПО
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц;
- Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140;
- Термопаста: Arctic Cooling MX-2;
- Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102;
- Оперативная память:
- Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Kingston KVR1333D3N9-8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333, 1.50 В, 2×8192 Мбайта;
- Видеокарта: Palit GeForce 7300GT Sonic, 256 Мбайт GDDR3, PCI-E;
- Накопители:
- SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры);
- HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с;
- Блок питания: Enermax Revolution 85+ ERV1050EWT, 1050 Вт.
Программное обеспечение:
- Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
- DirectX Redistributable (Jun2010);
- AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
- AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
- SPDTool v0.6.3;
- Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
- MemTest86+ v4.20;
- LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.
Методика тестирования
Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца.
Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой ЦП на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели.
А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.
Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе — это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например, до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.
Источник: https://overclockers.ru/lab/show/47377_3_3/Testirovanie_modulej_operativnoj_pamyati_DDR3-1333_i_DDR3-1600_obemom_8_Gbajt
Расшифровка маркировки оперативной памяти
Для правильного выбора оперативной памяти необходимо разбираться в маркировке характеристик и понимать их влияние на быстродействие компьютера. Нельзя опираться только на объём и игнорировать другие важные параметры.
Расшифровка обозначений
Производители оперативной памяти часто используют свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.
4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11
Стандарт планок DIMM, UDIMM и SODIMM
Такими сокращениями обозначают стандарт планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — для ноутбуков — по размеру короче и выше.
Ещё можно встретить следующие обозначения:
- U-DIMM — без буфера;
- R-DIMM — с буфером;
- LR-DIMM — с буфером и пониженным энергопотреблением;
- FB-DIMM — с полной буферизацией.
U-DIMM — разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично. В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.
R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM — планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.
Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L
Типы памяти отличаются по многим техническим характеристикам. Например, DDR4 работает на более высоких частотах и обладает лучшей энергоэффективностью. Об отличии DDR4 от DDR3 читайте здесь. Отмечу, что типы 3 и 4 поколения несовместимы.
Разница между DDR3 и DDR3L только в энергоэффективности. «L» — это сокращение от «Low». Память с таким маркером потребляет 1.35V, а обычная — 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться в компьютере вместе. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.
Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц
Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты, на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.
Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.
| Core i3 8й серии | 2400 МГц |
| Core i3 7й серии | 2133/2400 МГц |
| Core i3 6й серии | 2133 МГц |
| Core i3 4й серии | 1600 МГц |
| Core i5 7й серии | 2400 МГц |
| Core i5 6й серии | 2133 МГц |
| Core i5 4й серии | 1600 МГц |
| Core i7 7й серии | 2666 МГц |
| Core i7 6й серии | 2400 МГц |
| Core i7 4й серии | 1600 МГц |
| AMD FX-4ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-6ххх | 1866 МГц |
| AMD FX-8ххх | 1866 МГц |
| AMD Ryzen 3 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 5 1й серии | 2666 МГц |
| AMD Ryzen 7 1й серии | 2933 МГц |
Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200
Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость — тем лучше.
| 2400 МГц | PC19200 |
| 2133 МГц | PC17000 |
| 1866 МГц | PC14900 |
| 1600 МГц | PC12800 |
| 1333 МГц | PC10600 |
Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4», что указывает на конкретный тип памяти — DDR3 или DDR4.
В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».
- U — U-DIMM;
- S — SO-DIMM;
- R — R-DIMM;
- L — LR-DIMM;
- F — FB-DIMM.
Редко встречается «E» — ECC (error-correcting code) — память c коррекцией ошибок.
Тайминг: 8-8-8-24, CL11
Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения — CL11 (CAS Latency 11).
Чем меньше задержки, тем лучше. Но архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и он не часто обращается к оперативной памяти на прямую. Поэтому эти показатели не играют большой роли в быстродействии. Разницу между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.
В маркировке тайминг может обозначаться буквой после частоты. Например, DDR4-2400T или DDR4-2666U.
Источник: https://realadmin.ru/perefiriya/markirovka-operativnoj-pamyati.html
DDR3 SDRAM
У этого термина существуют и другие значения, см. DDR.
Модули памяти DDR3, представленные Samsung на Intel Developer Forum 2008
Модуль памяти DDR3
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти типа DDR2 SDRAM, увеличив размер предподкачки с 4 бит до 8 бит.[1][2]
У DDR3 уменьшено потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти.
[3][4] Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (вначале — 90 нм, в дальнейшем — 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Существует вариант памяти DDR3L (L означает Low) с ещё более низким напряжением питания, 1,35 В, что меньше традиционного для DDR3 на 10 %.[5]
Также существует модули памяти DDR3U (U означает Ultra Low Voltage) с напряжением питания 1,25 В, что ещё на 10 % меньше, чем принятое для DDR3L. Финальная спецификация на все три разновидности (DDR3, DDR3L, DDR3U) была опубликована на сайте JEDEC в декабре 2010 с дополнениями, касающимися стандартов DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333, а также DDR3U-1600 в октябре 2011.[6]
Микросхемы памяти DDR3 производятся исключительно в корпусах типа BGA.
Типичные объёмы обычных модулей памяти DDR3 составляют от 1 ГБ до 16 ГБ. В виде SO-DIMM обычно реализуются модули ёмкостью до 8 ГБ. С 2013 года выпускаются модули SO-DIMM 16 ГБ, но они редки и имеют ограниченную совместимость[7].
Совместимость
Сравнение планок памяти DDR, DDR2 и DDR3 по внешнему виду.
Модули DIMM с памятью DDR3, имеющие 240 контактов, не совместимы с модулями памяти DDR2 ни электрически, ни механически. Ключ расположен в другом месте, поэтому модули DDR3 не могут быть установлены в слоты DDR2, сделано это с целью предотвращения ошибочной установки одних модулей вместо других и их возможного повреждения вследствие несовпадения электрических параметров.
В переходный период производители выпускали материнские платы, которые поддерживали установку и модулей DDR2, и DDR3, имея соответствующие разъёмы (слоты) под каждый из двух типов, но одновременная работа модулей разных типов не допускалась.
При использовании процессоров Intel Skylake и более новых возможна установка только модулей памяти DDR3L 1,35 В, но не DDR3 1,5 В. Однако такие модули и слоты для них не имеют защитного ключа, что создает риск установки несовместимой памяти[8].
Спецификации стандартов
| DDR3‑800 | 100 | 10,00 | 400 | 800 | PC3‑6400 | 6400 |
| DDR3‑1066 | 133 | 7,50 | 533 | 1066 | PC3‑8500 | 8533 |
| DDR3‑1333 | 166 | 6,00 | 667 | 1333 | PC3‑10600 | 10667 |
| DDR3‑1600 | 200 | 5,00 | 800 | 1600 | PC3‑12800 | 12800 |
| DDR3‑1866 | 233 | 4,29 | 933 | 1866 | PC3‑14900 | 14933 |
| DDR3‑2133 | 266 | 3,75 | 1066 | 2133 | PC3‑17000 | 17066 |
| DDR3‑2400 | 300 | 3,33 | 1200 | 2400 | PC3‑19200 | 19200 |
Несмотря на то, что стандартом не описывается память со скоростью работы выше DDR-2400 или отличной от указанной в таблице, следует заметить, что также существуют и нестандартные решения, такие как DDR3-2000 (например, Team Xtreem TXD34096M2000HC9DC-L
[10]), или более быстрые DDR3-2666, DDR3-2933[11] (пропускная способность последних сопоставима с аналогичными модулями DDR4-2666 и DDR4-2933 соответственно).
Возможности DDR3
Возможности микросхем DDR3 SDRAM
- Предвыборка 8 слов на каждое обращение (Prefetch buffer)[12][13]
- Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
- Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
- Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
- Выполнение CAS Write Latency за такт
- Встроенная терминация данных
- Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
- Автоматическая калибровка шины данных
Возможности модулей DIMM DDR3
- Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
- Высокоточные резисторы в цепях калибровки
- Введен более компактный тип модулей VLP для использования в Blade-серверах[14]
Существуют различные типы модулей: DIMM, UDIMM, RDIMM; SODIMM, mini RDIMM, MicroDIMM[14]
Преимущества и недостатки
Преимущества по сравнению с DDR2
- Бо́льшая пропускная способность (до 19200 МБайт/с)
- Меньшее энергопотребление.
Недостатки по сравнению с DDR2
- Более высокая CAS-латентность (компенсируется большей пропускной способностью)
Производители микросхем памяти
В 2012—2013 годах более 10 % рынка поставок микросхем памяти DDR3 занимали[15][16]
- Samsung — около 40 %
- Hynix — 24 %
- Elpida Memory[en] (в 2013 году выкуплена компанией Micron Technology) — 12 %
- Micron — 12 %
Небольшую долю также имели тайваньские Nanya (Elixir, Nanya Technology Corporation) и Winbond[en].
См. также
- DDR2 SDRAM
- Двухканальный режим
- Трёхканальный режим
- DDR4 SDRAM
Примечания
- ↑ Ilya Gavrichenkov
Источник: https://ru.wikipedia.org/wiki/DDR3_SDRAM
Загрузка...
